Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs)-
Matrixdetektor

Auflösung 640 x 512 Bildpunkte,
25 µm Bildpunktgröße,
Datenrate 10 MHz,
hermetisches Kovar-Metallgehäuse,
1-stufiger  thermoelektrischer Kühler,
Spektralbereich 0,9 µm…1,7 µm

Weitere Informationen:

Übersicht französisch

Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs)-
Matrixdetektor

Auflösung 320x256 Bildpunkte,
30µm Bildpunktgröße,
Datenrate 10 MHz,
CLCC-Gehäuse ohne Kühlung,
kommerzielle Güteklasse (Grade);
Spektralbereich 0,9 µm…1,7 µm

Weitere Informationen:

Übersicht französisch

Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs)-Lineardetektor

Auflösung 512x1 Bildpunkte,
25µm Bildpunktbreite,
25 oder 500µm Bildpunkthöhe, 
Datenrate 5 MHz,
hermetisches 28pin DIL-Gehäuse 
mit thermoelektrischer Kühlung, 
spektroskopische Güteklasse (Grade);
Spektralbereich 0,9 µm…1,7 µm

Weitere Informationen:

Datenblatt deutsch
Datenblatt englisch

Si-CCD-Sensoren – höchstauflösend

Silizium-Bildsensoren für den ultravioletten bis nahen Infrarotbereich;
Auflösung von 2kx2k bis 10kx10k Bildpunkte,
Frontseitenbelichtet (FI) oder Rückseitenbelichtet (BI),
bis zu 36 rauscharme Ausgänge bei 20 (30) MHz Datenrate

Weitere Informationen:

Si -Time Delay & Integration (TDI)- Sensoren

Kundenspezifische Silizium-TDI-Bildsensoren (momentan keine Standards): Synchronisation des Auslesevorgangs mit der Objektbewegung
Auflösung z.B. 0,7k, 1k, 2k, Einzelbauelemente oder anreihbare Versionen
Variable TDI-Stufen von 8….192 Stufen
Spektralbereich 300nn…1000nm, Monochrom + Multispektral

Weitere Informationen:

Pyroelektrische Linearfelder AND128LTx und AND256LTx

Hybridsensoren mit 128 bzw. 256 Pixeln und einem integrierten CMOS-Multiplexer.

Typische Anwendungsgebiete der linearen Felder sind die berührungslose Temperaturmessung und die Spektrometrie.

Weitere Informationen: